Perbedaan Antara Memory DDR4 dan DDR5 - LensInfo

Perbedaan Antara Memory DDR4 dan DDR5

Tahun 2021 bisa dikatakan sebagai tahun pertama peluncuran resmi memori DDR5. Spesifikasinya telah dibuat sejak 2019 setelah lebih dari satu tahun penelitian dan pengembangan. banyak produsen telah merilis produk mereka pada tahun ini. Berikut ini adalah perbedaan antara memori DDR5 dan DDR4 generasi sebelumnya berdasarkan hasil uji coba.


perbedaan Bentuk & Penampilan

Pertama, ada perbedaan besar dalam tata letak PCB. Ada ruang ekstra di atas untuk menempatkan IC dan kapasitor baru yang lebih kecil 

Kedua, posisi gerendel untuk kontak emas juga telah disesuaikan. Tepatnya dari DDR3 ke DDR4 sudah pelan pelan ada konversi semakin mengarah ke tengah. Di era DDR5 semakin lebih dekat ke tengah, meski masih agak ke satu sisi. Namun, kita perlu lebih memperhatikan saat memasang memori dan memastikan bahwa itu dimasukkan ke arah yang benar sehingga tidak merusak kontak tembaga ketika pemasangan.

Kapasitas maksimum satu stick

Kapasitas maksimum satu memory stick di DDR4 mencapai 32GB . Berdasarkan motherboard mainstream yang mendukung 2DPC (2 DIMM Per Channel), total kapasitas memori paling umum untuk platform DDR4 dibatasi hingga 128GB. Di era DDR5 meningkat sehingga satu memori dapat mencapai 128GB. Total kapasitas memori bisa mencapai 512GB jika menggunakan motherboard 2DPC yang sama sebagai pembanding. Dengan total kapasitas memori hingga 512GB, bayangkan berapa banyak lagi multi-tasking yang dapat dilakukan, karena ini sudah merupakan kapasitas SSD mainstream saat ini. Melihat sejarah perkembangan DDR, batas kapasitas DDR5 juga sangat sesuai dengan standar sebelumnya, dimana setiap generasi memiliki 4 kali lipat dari batas kapasitas generasi sebelumnya. Saya sudah tidak sabar untuk melihat bagaimana hasil kemampuan dari DDR5 kini.



Frekuensi
Jika Anda seorang gamer yang menaruh perhatian pada tingkat memori, Anda mungkin sadar satu hal bahwa frekuensi dan kapasitas awal generasi DDR sudah berevolusi,  lebih tepatnya frekuensi yang bertambah dua kali lipat. Misalnya, frekuensi awal generasi DDR3 adalah 1066MHz, dan generasi DDR4 adalah 2133MHz. Namun, frekuensi yang telah dihasilkan oleh pada batch pertama produk DDR5 adalah 4800MHz, yang pastinya melebihi inferensi logis asli 4266MHz. Apakah akan ada 4366MHz di masa depan, saya belum menerima informasi yang lebih pasti. Yang pasti, ini sesuatu yang membahagiakan dan ditunggu-tunggu. Produk standar awal sudah melampaui definisi dasar, jadi saya yakin untuk overclocking bisa sangat berbeda dan layak untuk dieksplorasi.

Komposisi struktural

DDR5 menggunakan struktur 32 Bank (unit penyimpanan yang dapat diaktifkan/dinonaktifkan secara individual) dengan total 8 Grup Bank, ketersediaan akses dua kali lebih banyak daripada struktur 16 Bank DDR4 dengan 4 Grup Bank. Panjang Burst (jumlah data yang dapat diakses oleh satu perintah baca/tulis DRAM) DDR5 telah ditingkatkan dari 8 menjadi 16 di DDR4, yang juga merupakan fitur utama untuk meningkatkan kinerja. Tidak seperti DDR4, yang tidak dapat melakukan operasi lain selama refresh, DDR5 menggunakan fungsi Same Bank Refresh untuk memungkinkan sistem mengakses data di Bank lain saat refresh Bank tertentu. Di sisi lain, DDR5 juga menghilangkan noise melalui Decision Feedback Equalization (DFE) untuk meningkatkan kinerja secara keseluruhan.

Intinya, DDR5 dapat mengakses data per IC dua kali lebih banyak daripada DDR4!



Tegangan operasi dasar
Dengan evolusi generasi per generasi, tegangan operasi dasar memori terus menurun, yang berarti operasi memori semakin hemat energi. Pada generasi DDR3, dibutuhkan 1.5V untuk mendukung pengoperasian memori standar. Generasi DDR4 membutuhkan 1.2V, dan generasi DDR5 hanya membutuhkan 1.1V. Disini kita tidak akan membahas tentang tegangan yang dibutuhkan untuk overclocking. Lagi pula, frekuensi overclocking yang berbeda memerlukan voltase yang harus disesuaikan, dan kita tidak akan bahas disini.

Manajemen power ( daya )

Fungsi manajemen daya dulunya diatur pada motherboard yang nantinya akan menentukan jumlah tegangan yang dipasok ke memori. Namun, setelah memasuki generasi DDR5, tegangan operasi dasar turun menjadi 1.1V, dan toleransi sinyal menjadi sangat kecil. Oleh karena itu, memori harus memiliki kemampuan yang sangat baik untuk mengenali sinyal, dan memindahkan manajemen daya langsung ke memori adalah solusi yang sangat baik. Anda dapat melihat pada gambar bahwa ada blok di bagian  atas memori dengan IC ekstra kecil dan beberapa kapasitor (disebutkan sebelumnya), yaitu memori DDR5 yang dikonfigurasi dengan IC manajemen daya 5V pada DIMM. Ini dapat lebih efektif mengontrol kekuatan memori secara langsung, dan meningkatkan integritas sinyal dan kemampuan identifikasi noise.
 

Sederhananya, 1.1V terlalu rendah untuk dikendalikan oleh motherboard, jadi lebih baik untuk mengontrol sinyal daya langsung dari memori itu sendiri, dan dengan cara ini sinyal daya dapat dikontrol lebih stabil.







On-die ECC

Nama lengkap ECC adalah Error-Correcting Code, yang merupakan teknologi koreksi kesalahan yang sering digunakan di komputer di berbagai area. ECC membuat memori lebih stabil. Namun, untuk fungsi ECC diperlukan IC tambahan untuk memperbaiki kesalahan, sehingga Anda akan melihat 9 IC di satu sisi memori ECC, bukan yang umum 8. Ini juga perlu didukung oleh motherboard atau CPU sendiri untuk menggunakan memori ECC.

Generasi DDR5 benar-benar berbeda, karena setiap IC dilengkapi dengan fungsi debugging ECC sendiri. Fitur koreksi kesalahan otomatis ini memungkinkan sistem yang menggunakan memori DDR5 memiliki stabilitas yang lebih tinggi dan tidak ada gangguan saat kesalahan.

 

Hubungan antara overclocking dan suhu operasi ( operating temperature )

Seperti yang kita ketahui bersama, proses overclocking akan menghasilkan banyak panas, dan apakah panas dapat ditangani dengan baik juga merupakan faktor kunci yang sangat penting yang mempengaruhi hasil overclocking. Pada generasi DDR4 sebelumnya (termasuk DDR4), permukaan IC adalah tempat di mana panas lebih mungkin dihasilkan pada memori. Oleh karena itu, baik dalam desain heat sink atau dalam proses overclocking yang ekstrem, selalu harus memperhatikan pada  pendinginan IC. Namun pada generasi DDR5, karena ada tambahan PMIC, tetapi  PMIC ini sendiri juga akan menghasilkan panas, sehingga ada poin tambahan yang perlu diperhatikan dalam solusi pembuangan panas. Jika panas dari PMIC tidak ditangani dengan baik, hal itu juga akan mempengaruhi stabilitas overclocking